IS43R86400E-6BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43R86400E-6BLI |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 2.3V ~ 2.7V |
Technologie | SDRAM - DDR |
Supplier Device-Gehäuse | 60-TFBGA (8x13) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mbit |
Speicherorganisation | 64M x 8 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 166 MHz |
Grundproduktnummer | IS43R86400 |
Zugriffszeit | 700 ps |
IS43R86400E-6BLI Einzelheiten PDF [English] | IS43R86400E-6BLI PDF - EN.pdf |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz,
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz,
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz,
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz,
2024/07/2
2024/06/17
2024/08/29
2024/03/19
IS43R86400E-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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